IRLD110PBF
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRLD110PBF |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±10V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 6.1nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 250pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 1A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
En stock 3749 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.92 | $0.90 | $0.88 |
Mínimo: 1