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IRFDC20PBF

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFDC20PBF
Descripción: MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.4Ohm @ 190mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 350pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 320mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1976 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.15 $2.11 $2.06
Mínimo: 1

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