IRFD210PBF
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IRFD210PBF |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 8.2nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 200V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 140pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 600mA (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 4833 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.96 | $0.94 | $0.92 |
Mínimo: 1