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IRFBE30

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFBE30
Descripción: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3Ohm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 125W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 78nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1300pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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