La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

IRFBE20S

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IRFBE20S
Descripción: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 530pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFBE20L
Vishay / Siliconix
$0
IRFBC40STRR
Vishay / Siliconix
$0
IRFBC40STRL
Vishay / Siliconix
$0
IRFI9Z34N
Infineon Technologies
$0
IRFI9Z24N
Infineon Technologies
$0