2N6661JAN02
Fabricantes: | Vishay / Siliconix |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | 2N6661JAN02 |
Descripción: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Vishay / Siliconix |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-39 |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 90V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 50pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 860mA (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
En stock 71 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1