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2N6661JAN02

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: 2N6661JAN02
Descripción: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-39
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 90V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 50pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 860mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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