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VS-4EWH02FN-M3

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: VS-4EWH02FN-M3
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tube
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacitancia : Vr, F -
Paquete de dispositivos de proveedores D-PAK (TO-252AA)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 20ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 3µA @ 200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 200V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 4A
Temperatura de funcionamiento - Unión -65°C ~ 175°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 950mV @ 4A

En stock 2834 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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