La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
VS-10ETF12-M3
| Fabricantes: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| Categoría de producto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Ficha técnica: | VS-10ETF12-M3 |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| Categoría de producto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Tipo de diodo | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-220-2 |
| Número de pieza base | 10ETF12 |
| Capacitancia : Vr, F | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220AC |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 310ns |
| Corriente - Fuga inversa - Vr | 100µA @ 1200V |
| Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) | 1200V |
| Corriente - Promedio rectificado (Io) | 10A |
| Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si | 1.33V @ 10A |
En stock 99 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.71 | $3.64 | $3.56 |
Mínimo: 1
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