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VS-10ETF12-M3

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: VS-10ETF12-M3
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tube
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-2
Número de pieza base 10ETF12
Capacitancia : Vr, F -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AC
Tiempo de recuperación inversa (trr) 310ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 100µA @ 1200V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 1200V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 10A
Temperatura de funcionamiento - Unión -40°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.33V @ 10A

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.71 $3.64 $3.56
Mínimo: 1

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