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S1BHE3_A/I

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: S1BHE3_A/I
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-214AC, SMA
Número de pieza base S1B
Capacitancia : Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DO-214AC (SMA)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 1.8µs
Corriente - Fuga inversa - Vr 1µA @ 100V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 100V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A
Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1.1V @ 1A

En stock 60 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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