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EGL41BHE3_A/I

Fabricantes: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: EGL41BHE3_A/I
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso DO-213AB, MELF (Glass)
Capacitancia : Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores DO-213AB
Tiempo de recuperación inversa (trr) 50ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 5µA @ 100V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 100V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1A
Temperatura de funcionamiento - Unión -65°C ~ 175°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 1V @ 1A

En stock 70 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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