TPH3212PS
Fabricantes: | Transphorm |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TPH3212PS |
Descripción: | GANFET N-CH 650V 27A TO220 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Transphorm |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±18V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.6V @ 400uA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 72mOhm @ 17A, 8V |
Disipación de energía (máx.) | 104W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220AB |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14nC @ 8V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1130pF @ 400V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 27A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 444 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$13.31 | $13.04 | $12.78 |
Mínimo: 1