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TPH3212PS

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3212PS
Descripción: GANFET N-CH 650V 27A TO220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 400uA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 72mOhm @ 17A, 8V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14nC @ 8V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1130pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 444 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$13.31 $13.04 $12.78
Mínimo: 1

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