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TPH3206PSB

Fabricantes:	Transphorm
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPH3206PSB
Descripción:	GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Transphorm
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±18V
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id	2.6V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 8V
Disipación de energía (máx.)	81W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220AB
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	6.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	720pF @ 480V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V