La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TPH3206LDB

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3206LDB
Descripción: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Disipación de energía (máx.) 81W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (8x8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 720pF @ 480V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 80 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

AO4442L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
AO3460L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
AO4440L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
FDC642P_SB4N006
ON Semiconductor
$0
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
$0