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TPH3206LD

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH3206LD
Descripción: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.6V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PQFN (8x8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.3nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 760pF @ 480V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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