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TP65H035WS

Fabricantes: Transphorm
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TP65H035WS
Descripción: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Transphorm
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.8V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 156W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 36nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 46.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 12V

En stock 821 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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