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ULN2803APG,CN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: ULN2803APG,CN
Descripción: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.47W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de transistor 8 NPN Darlington
Número de pieza base ULN280*A
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores 18-DIP
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

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