La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

ULN2803APG,CN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica: ULN2803APG,CN
Descripción: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.47W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de transistor 8 NPN Darlington
Número de pieza base ULN280*A
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores 18-DIP
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 500mA
Corriente - Corte del colector (máx.) -
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 76 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

ZXTDE4M832TA
Diodes Incorporated
$0
ZXTDC3M832TA
Diodes Incorporated
$0
ZXTD4591AM832TA
Diodes Incorporated
$0
E-ULQ2003D1
STMicroelectronics
$0
E-ULQ2003A
STMicroelectronics
$0