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TPWR8503NL,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPWR8503NL,L1Q
Descripción: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 0.85mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 800mW (Ta), 142W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DSOP Advance
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 74nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6900pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 1676 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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