TPN7R506NH,L1Q
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TPN7R506NH,L1Q |
Descripción: | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 200µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 22nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1800pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 26A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6.5V, 10V |
En stock 1356 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1