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TPN7R506NH,L1Q

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPN7R506NH,L1Q
Descripción: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 22nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V

En stock 1356 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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