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TPN4R712MD,L1Q
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TPN4R712MD,L1Q |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±12V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1.2V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
| Disipación de energía (máx.) | 42W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 65nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4300pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 36A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
En stock 7320 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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