La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TPN2R805PL,L1Q

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPN2R805PL,L1Q
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSIX-H
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	2.4V @ 300µA
Temperatura de funcionamiento	175°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
Disipación de energía (máx.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	39nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	45V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3.2nF @ 22.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	139A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V