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TPN22006NH,LQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPN22006NH,LQ
Descripción:	MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Digi-Reel®
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	710pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V