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TPH6R30ANL,L1Q
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TPH6R30ANL,L1Q |
| Descripción: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 500µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP Advance (5x5) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 55nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 4300pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 66A (Ta), 45A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 58 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.40 | $0.39 | $0.38 |
Mínimo: 1
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