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TPH6R004PL,LQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPH6R004PL,LQ
Descripción: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIX-H
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.4V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 175°C
Rds On (Max) - Id, Vgs 6mOhm @ 24.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP Advance (5x5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2700pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 87A (Ta), 49A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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