TPH2R608NH,L1Q
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TPH2R608NH,L1Q |
Descripción: | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVIII-H |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 1mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.6mOhm @ 50A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 142W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOP Advance (5x5) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 72nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 75V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 6000pF @ 37.5V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 150A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 4376 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.63 | $1.60 | $1.57 |
Mínimo: 1