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TPCP8901(TE85L,F,M

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Ficha técnica:	TPCP8901(TE85L,F,M
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie	-
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	1.48W
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	8-SMD, Flat Lead
Tipo de transistor	NPN, PNP
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Frecuencia - Transición	-
Paquete de dispositivos de proveedores	PS-8
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic	170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	1A, 800mA
Corriente - Corte del colector (máx.)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce	400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	50V