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TPCF8B01(TE85L,F,M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPCF8B01(TE85L,F,M
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 330mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores VS-8 (2.9x1.5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 470pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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