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TPCF8101(TE85L,F,M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPCF8101(TE85L,F,M
Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSIII
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 28mOhm @ 3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores VS-8 (2.9x1.5)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 68 pcs

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