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TPC8A02-H(TE12L,Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPC8A02-H(TE12L,Q)
Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 5.6mOhm @ 8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP (5.5x6.0)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 34nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1970pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 16A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 54 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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