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TPC8221-H,LQ(S

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TPC8221-H,LQ(S
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 450mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 830pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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