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TPC8036-H(TE12L,QM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TPC8036-H(TE12L,QM
Descripción: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.5mOhm @ 9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP (5.5x6.0)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 49nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 18A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 79 pcs

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