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TPC6113(TE85L,F,M)

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TPC6113(TE85L,F,M)
Descripción:	MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVI
Tipo FET	P-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id	1.2V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	55mOhm @ 2.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	700mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	VS-6 (2.9x2.8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	10nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	690pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V