TPC6110(TE85L,F,M)
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TPC6110(TE85L,F,M) |
Descripción: | MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | U-MOSVI |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 100µA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 56mOhm @ 2.2A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | VS-6 (2.9x2.8) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 14nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 510pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4.5A (Ta) |
En stock 66 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.24 | $0.24 | $0.23 |
Mínimo: 1