La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TK8A60W,S4VX

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK8A60W,S4VX
Descripción: MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 400µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 570pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 64 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.15 $2.11 $2.06
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
$2.14
IXTP2N80
IXYS
$2.13
NTMFS4H02NFT1G
ON Semiconductor
$2.13
IPP05CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
$2.13
SIHB22N60EL-GE3
Vishay / Siliconix
$2.13