La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TK72E12N1,S1X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK72E12N1,S1X
Descripción: MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.4mOhm @ 36A, 10V
Disipación de energía (máx.) 255W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 120V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 8100pF @ 60V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 72A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 84 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.86 $1.82 $1.79
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXTA1N100P
IXYS
$1.86
DMN95H2D2HCTI
Diodes Incorporated
$1.85
IXFP7N60P3
IXYS
$1.85
IXTP8N65X2M
IXYS
$1.85
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.85