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TK60D08J1(Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK60D08J1(Q)
Descripción: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 7.8mOhm @ 30A, 10V
Disipación de energía (máx.) 140W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220(W)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 86nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 75V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 5450pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 60A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 73 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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