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TK560P60Y,RQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK560P60Y,RQ
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 240µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 560mOhm @ 3.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 14.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 380pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 3710 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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