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TK50P04M1(T6RSS-Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK50P04M1(T6RSS-Q)
Descripción: MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 500µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.7mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 60W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 38nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 40V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2600pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 50A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 4338 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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