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TK40P03M1(T6RDS-Q)

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK40P03M1(T6RDS-Q)
Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.3V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.8mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 17.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1150pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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