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TK40E06N1,S1X

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK40E06N1,S1X
Descripción: MOSFET N CH 60V 40A TO-220
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 300µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.4mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 67W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 23nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1700pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 40A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 22 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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