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TK39N60W,S1VF

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK39N60W,S1VF
Descripción:	MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Super Junction
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id	3.7V @ 1.9mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	65mOhm @ 19.4A, 10V
Disipación de energía (máx.)	270W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	110nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4100pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	38.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V