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TK380P60Y,RQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK380P60Y,RQ
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 360µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 380mOhm @ 4.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 590pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1716 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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