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TK31J60W,S1VQ

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK31J60W,S1VQ
Descripción: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 1.5mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 230W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P(N)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 86nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3000pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 30.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 23 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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