TK31J60W,S1VQ
Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | TK31J60W,S1VQ |
Descripción: | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | Super Junction |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3.7V @ 1.5mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 230W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3P(N) |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 86nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 600V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3000pF @ 300V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 30.8A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 23 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$8.04 | $7.88 | $7.72 |
Mínimo: 1