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TK31E60X,S1X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK31E60X,S1X
Descripción:	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Super Junction
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 1.5mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	88mOhm @ 9.4A, 10V
Disipación de energía (máx.)	230W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	65nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3000pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	30.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V