Image is for reference only , details as Specifications

TK30E06N1,S1X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK30E06N1,S1X
Descripción:	MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 200µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	15mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.)	53W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	16nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	1050pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	43A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V