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TK25V60X,LQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK25V60X,LQ
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV-H
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	4-VSFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 1.2mA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	135mOhm @ 7.5A, 10V
Disipación de energía (máx.)	180W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	4-DFN-EP (8x8)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	40nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	2400pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V