La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

TK20N60W,S1VF

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK20N60W,S1VF
Descripción: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 155mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 165W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 48nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1680pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 20A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 74 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.72 $4.63 $4.53
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IXFH96N15P
IXYS
$4.72
IXFH52N30P
IXYS
$4.72
IXFH110N10P
IXYS
$4.72
IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
$4.71
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
$4.69