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TK1K9A60F,S4X

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK1K9A60F,S4X
Descripción:	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSIX
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 400µA
Temperatura de funcionamiento	150°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	1.9Ohm @ 1.9A, 10V
Disipación de energía (máx.)	30W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	14nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	490pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	3.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V