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TK17N65W,S1F

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK17N65W,S1F
Descripción: MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 900µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 200mOhm @ 8.7A, 10V
Disipación de energía (máx.) 165W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 45nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1800pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 78 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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