Image is for reference only , details as Specifications

TK16A60W5,S4VX

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: TK16A60W5,S4VX
Descripción: MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id 3.7V @ 1.5mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 40W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 43nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1350pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 95 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK42E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SPD07N20GBTMA1
Infineon Technologies
$0
IPD30N06S2L23ATMA1
Infineon Technologies
$0
IPD30N06S2L-13
Infineon Technologies
$0
IPD035N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0