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TK160F10N1L,LQ

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK160F10N1L,LQ
Descripción:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	175°C
Rds On (Max) - Id, Vgs	2.4mOhm @ 80A, 10V
Disipación de energía (máx.)	375W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220SM(W)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	122nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	10100pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	160A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V